Купить 1 шт. MB85RC256V IEC энергозависимый FRAM Breakout module-256 кбит/32 Кбайт

Описание

1 шт. MB85RC256V IEC энергозависимый FRAM Breakout module-256 кбит/32 Кбайт

Описание:

F ram, или Ferroelectric ram, это самый крутой новый метод хранения данных, о котором говорят все модные журналы. О, подождите, нет, это стеганые сумочки. Но Фрам тоже очень крут! Он похож на динамическую память случайного доступа, только с ферроэлектрическим слоем вместо диэлектрического слоя. Это обеспечивает стабильную обработку (байты, которые вы пишете, являются энергозависящими) с динамической отзывчивостью (вы можете написать их очень быстро!)

Теперь, с нашим IEC FRAM breakout board вы можете добавить некоторые FRAM хранения в ваш следующий проект DIY. FRAM обеспечивает более низкое энергопотребление и более высокую производительность записи. Он отлично подходит для маломощной или непоследовательной обработки данных или буферизации данных там, где вы хотите быстро передавать данные, а также сохраняет данные при отсутствии питания. В отличие от Flash или EEPROM нет страниц, о которых можно беспокоиться. Каждый байт может быть прочитан/записан 10000000000000 раз, так что вам не придется беспокоиться о выравнивании износа.

Данный чип FRAM имеет 256 кбит (32 кбайт) хранения, интерфейсы с использованием iec и может работать со скоростью до 1 МГц iec. Каждый байт может считываться и записываться мгновенно (например, SRAM), но память будет храниться в течение 95 лет при комнатной температуре.

Подобран самый большой чип, который имеет iec и также соответствует 5 В. Вы можете использовать этот чип с питанием и логикой 3 в или 5 В. Он поставляется в макетной плате-дружественный прорыв и запасная палка 0,1 "мужской разъем для пайки.