Описание
Спецификация:
1 материал: высокая чистота кремния
2 размера: 2 дюйм(ов)
3 диаметр и допуск: 50.8 ± 0.3 мм
4 Толщина: 400um
5 толщина оксида: 300нм
6 Модель: p
7 характеристики: двойной кислород
8: rEsistivity <0.001Omega/см
9 направление кристалла: <100>
Полировка: двуокись кремния
11 основных применений: pvd/CVD покрытие, магнетрон спутник, XRD, sem, выборочный рост атомных сил, инфракрасная спектроскопия, флюоресценционная спектроскопия, подложка, подложка, молекулярный луч эпитаксиальный рост полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.
Характеристики
- Номер модели
- Crystal orientation 100/ Model P
- Стандартный
- GB
- Габаритные размеры
- Oxide thickness 300nm
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Monocrystalline silicon
Сопутствующие товары
