200-1100 Nm 4mm Violet Silicon Photodetector Diode with High Responsiveness and Low Dark Current Electrons

Характеристика:

Высокая отзывчивость, низкий Темный ток, плоское окно

Применение:

1. Контроль промышленной автоматизации

2. оптического измерения оборудование

3. научный анализ и эксперимент

Основные характеристики:

1. фоточувствительная площадь: 4 мм×4mm

2. Длина волны отклика: 200-1100 нм

3. темный ток: 0.5nA @-1 V

4. Упаковка: TO-8 Can