Описание
Cr2Ge2Te6 кристалл
Размер кристалла: 3 ~ 10 мм Тип кристалла: магнитный полупроводник Чистота:> 99.999% Методы определения характеристик: EDS, SEM, Raman Режим роста кристаллов: CVT химический паровой транспорт

Характеристики
- Габаритные размеры
- Greater than10*10mm
- Номер модели
- Greater than10*10mm
- Материал
- Другое










