H20R1203 транзистор IGBT однотрубный 20A1200V

IGBT (изолированный биполярный транзистор ворот) как новый тип светодиодного автоматического коммутационное устройство управления полями для силовых полупроводников, собирая мощность mosfethride скорость производительность и низкое сопротивление биполярных устройств, высокое входное сопротивление, низкое напряжение управления энергопотреблением, схема управления проста., высоковольтное сопротивление, характерное для выдерживания высокого Ток, он широко используется в различных трансформациях электрической энергии. между тем, основные полупроводниковые производители непрерывно развивают сопротивление напряжения, большой ток, высокая скорость, низкое давление насыщения падения, высокая надежность, низкая стоимость технологии, в основном, adopted1umThe следующий процесс производства, некоторые новые достижения были сделаны в области исследований и разработок. [2]
1 、 низкая powerIGBT
Igbtобласть применения, как правило, in600V, 1KA, 1KHzThe выше области, для удовлетворения потребностей развития бытовой техники промышленности, Фэрчайлд, U. s. AIR, IXSY, Toshiba, STSemiconductor, Infineon, Mitsubishi и другие s запустили низкую мощность igbtproduct, микроволновая печь для бытовой техники промышленности, стиральная машина, электромагнитная плита, электронный выпрямитель, применение камеры и других продуктов.
2. U-IGBT
U (структура траншеи) -- IGBTIt рифленый на ядре трубы., в ячейке чипа образуются ворота траншеи. после принятия структуры канала, размер ячейки может быть еще больше уменьшен, уменьшая сопротивление канала, прогрессивная плотность тока, производство того же номинального тока и размер чипа меньше продуктов. есть много компаний, производящих все виды продукции. u-igbtproduct, подходит для низкого напряжения вождения, требования к поверхностному монтажу.
3. NPT-IGBT
NPT (нетрадиционный)-IGBTUsing тонкая Кремниевая пластина технология, заменяющая высокую степень сложности с ионным имплантацией в эмиссионную зону, высокая стоимость толстый слой высокая устойчивость Epitaxy, уменьшает производственные затраты 25% около, чем выше давление, тем выше разница в стоимости. более отличительные в производительности, высокая скорость, низкая потеря, положительный Температурный коэффициент, без блокировки, в design600-1200VOfIGBTtime, NPT-igbtreliabase high. siemens can provide600V, 1200V, 1700VSeries products and6500Vhigh pressureIGBT, низкое давление насыщенности также включено. DLCtypeNPT-IGBT, Ixes, Harris, Intelsil, Toshiba и другие компании также разрабатывают NPT-IGBTAnd его модуль серии, Fuji мотор, Motorola и другие находятся в стадии разработки, NPTType находится в направлении разработки.
4. SDB -- IGBT
В связи с тем, что современные производители toIGBTDevelopment придают большое значение, samsung, Quick и другие компании adoptSDB (sdb) технологии, stayicfour поколение высокоскоростное производство линейных и модульных продуктов, характерных высокой скоростью, низкое давление насыщения падение, низкий трейлинг ток, положительный температурный коэффициент легко параллелен, stay600vand1200vотличная производительность в диапазоне напряжения, разделенный intoUF, RUFTwo системы.
5. Ультра-модный
R & D фокус международной компании RectifierIRThe на редукторный эффект, сделать его выключить быстро, ультра-быстрое развитие, может минимизировать эффект задней части, Выключение времени не превышает 2000ns, layering техника с специальной высокой энергией облучения, время выключения доступно 100nsnext, хвост короче, ключевые продукты специально разработаны для управления двигателем, экзистенing6type и модели, он также может использоваться в высокомощном преобразователе.
6. IGBT/FRD
IRCompanyIGBTOn Основа этого, два комбинации представлены. FRD (быстровосстанавливающий диод) новые устройства, IGBT/FRDEffective комбинация, уменьшает потерю переходного состояния 20%, UseTO-247Outlook упаковки, номинальная Спецификация is1200V, 25, 50, 75, 100A, для привода двигателя и преобразования мощности, с igbtandfrdnew технологией на основе этой модели облегчает параллельное подключение устройств, достижения более равномерной температуры в мульти-чип-модули, прогрессивная общая надежность.
7 、 IGBTPower модуль
IGBT Силовой модуль AdoptionICdrive, различные схемы вождения и защиты, высокая производительность чипа, новая технология упаковки, от смеси мощности modulepimpropping к умной мощности ModuleIPM, мощность электронного здания блокспб, мощность moduleIPEM. pimopping к высоковольтному и высоковольтному току, его уровень продукта is1200-1800A/1800-3300 в, ipmexисключением для регулирования переменной частоты, 600A/2000 vofipmas используется в электрическом Локомотиве vvfinverter. плоскостной транзистор с низким индуктивности Технология упаковки является высокой currentIGBTModules являются активными устройствами. PEBB, пусковая установка для кораблей IPEMMulti-модуль на микросхеме технология сборки кострельных керамических чипспбб, значительно уменьшает индуктивность контурной проводки, прогрессивная эффективность системы, второе поколение успешно разработано. IPEM, все пассивные компоненты зарываются в подложке слоем. интеллект, модульность becomesIGBTPopular Развития 。

-|-_-|-