H27u4g8f2dtr флэш-чип памяти 512 М H27u4g8t2btr-Bc частиц H27u4g8f2dtr-Bc

H27u4g8f2dtr флэш-чип памяти 512 М H27u4g8t2btr-Bc частиц H27u4g8f2dtr-Bc

5 535 руб.

Описание

H27u4g8f2dtr флэш-чип памяти 512 М H27u4g8t2btr-Bc частиц H27u4g8f2dtr-BcH27u4g8f2dtr флэш-чип памяти 512 М H27u4g8t2btr-Bc частиц H27u4g8f2dtr-Bc

Характеристики

Состояние
Новый
Тип
Module Board
Напряжение электропитания
Standing V
Упаковка
Standing Package
Индивидуальное изготовление
Да
Мощность рассеивания
Standing W
Номер модели
IC
Применение
NA
Рабочая температура
Standing C