И SPB80P06P 80P06P TO263 262 MOS трубка с полевым эффектом

SPP,. spb p06p 80;

Стандартный упаковка

Стандартный упаковочная лента полуфабриката бумаги

Класс разделены полупроводниковые транзисторы

Семейный транзистор-FET, MOSFET-одиночный

Серия транзистор®

Другое имена SP000012841

SPB80P06PT

Технические характеристики

Полевых транзисторов типа P канала

Технология MOSFET (оксид металла)

Сливной напряжения (создаваемые) 60 V

-Непрерывный ток слива (Id) (25 ° C) 80 a (Tc)

Напряжение привода (максимальный Rds ВКЛ, минимальный Rds ВКЛ) 10 в

Vgs (th) (максимальное значение) при различном Id

Сеточная зарядка (Qg) (максимум) на разных Vgs

Входная емкость (СНПЧ) (максимальное значение) при различных Vds

Vgs (максимальное) +/-20 V

Полевого транзистора функция-

Мощность рассеивания (максимум) 340 Вт (Tc)

Rds On (максимальное значение) при Vgs 23 миллиом @ 64a и 10 вольт с различными идентификаторами

Рабочая температура и 55 °C до 175 °C (TJ)

Тип монтажа поверхностного монтажа

Информация о поставщике устройство в упаковке pg-to263-3-2

Упаковка/корпус до-263-3, D2Pak (2 провода + соединение), TO-263AB