| Datasheets | IXFN200N10P
|
| Фото продукта | СОТ-227-4, миниблок
|
| Стандартный посылка | 10 |
| Категория | Дискретная полупроводниковые |
| Семья | Fetы-модули |
| Серия | Полар-флиса™ |
| Упаковка | Трубка |
| Полевого транзистора Тип | MOSFET n-канал, оксид металла |
| Полевого транзистора Особенности | Стандартный |
| Слив в исходное напряжение (Vdss) | 100 V |
| Ток-непрерывный слив (Id) @ 25 °C | 200A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7,5 МОм @ 500 мА, 10 в |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5 V @ 8mA |
| Заряд затвора (Qg) @ Vgs | 235nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) @ Vds | 7600pF @, алюминиевая крышка, 25В |
| Мощность-макс | 680 W |
| Монтажный Тип | Для монтажа на шасси |
| Посылка/Чехол | СОТ-227-4, миниблок |
| Информация о поставщике устройство посылка | SOT-227B |
| Динамический Каталог | Серия IXFN Polar™ HiPerFET™ |
