MoTe2 SiO2/Кремниевая подложка молибдена дихлорид

MoTe2 SiO2/Кремниевая подложка молибдена дихлорид

34 913 руб.

Описание

Метод производства:
Химические паровые осаждения (CVD)
Применение областях:
Оптоэлектронные устройства, микроэлектронные устройства, биозондирование, химическое зондирование и другие области.
Упаковка и технические характеристики
10*10 мм, 15*15 мм, 20*20 мм, 2-дюймовые вафли, 4-х дюймовые вафли или по индивидуальному заказу указан изготовление размеров под заказ.
Очищающая вакуумная упаковка, 1 шт./кор., 5 шт./кор.. 10 шт./кор..
Типичные клиенты включают в себя:
MIT, Caltech, Стэнфордский университет;
Оксфордский университет, Манчестерский университет;
Сеульский национальный университет, корейский научно-технический университет (KAIST) и Университет Sungkyunkwan;
Токийский Технологический центр, Мурата производственная компания, лтд.
Tsinghua, Пекинский университет, Institute of Semiconductors, китайская Academy of Sciences
И другие научно-исследовательские организации мирового уровня.

Комбинационного смещение MoTe2

MoTe2 SiO2/Кремниевая подложка молибдена дихлоридMoTe2 SiO2/Кремниевая подложка молибдена дихлорид

MoTe2 SiO2/Кремниевая подложка молибдена дихлорид

Характеристики

Номер модели
10mm*10mm
Габаритные размеры
10mm*10mm
Наличие стандарта
Нестандартный
Стандартный
Другое
Материал
Другое