Описание
Тип 1: Вафля,: 4 дюйма, синтезированная методом ФЗ, направление <100>, удельное сопротивление больше 1000 Ом * см
Тип 2: Si/SiO2, 4 дюйма, SiO2 толщина 100 нм, направление <100>, удельное сопротивление менее 0,01 ОМ * см (чем меньше, тем лучше), тип P ------Двойная сторона Тепловая oxidztion
Сопутствующие товары
