Сульфид молибдена 15: медная пленка подложки MoS2

Самая большая 4 дюйма диски, доступные в настоящее время, и больших размеров (8, 12 дюймов) в ближайшее время.

Основные свойства:

Наклонный сульфид молибдена-слоистый полупроводниковый n-тип, относящийся к переходному металлу дихалкогениду с массовым зазором диапазона 1,23 eV (непрямой зазор диапазона) и однослойный MoS2 диапазон зазор ~ 1,85 eV (прямой диапазон зазора).

Метод производства:

Химические паровые осаждения (CVD)

Введение продукта:

Шесть углеродных технологий MoS2 пленка делится на различные:

1) один слой дискретно распределенных треугольных цельных кристаллических зерен с треугольной длиной стороны, как правило, от нескольких десятков до сто микрометров.

2) Однослойная непрерывная пленка, которая продолжает расти в далянь треугольными зернами.

3) Многослойные MoS2 сплошной пленки.

4) Подложка: MoS2 имеет множество дополнительных субстратов, среди которых наиболее часто используются кремниевые подложки, Оксидные вафельные подложки и сапфировый субстрат являются продуктами прямого осаждения. Другие подложки, такие как PET, PI, ITO, FTO, glass, metal substrates и т. д., передаются заказчику на желаемую подложку после роста сапфира.

Применение областях:

Оптоэлектронные устройства, микроэлектронные устройства, биозондирование, химическое зондирование и другие области.

Упаковка и технические характеристики

10*10 мм, 15*15 мм, 20*20 мм, 2-дюймовые вафли, 4-х дюймовые вафли или по индивидуальному заказу указан изготовление размеров под заказ.

Очищающая вакуумная упаковка, 1 шт./кор., 5 шт./кор.. 10 шт./кор..

Типичные клиенты включают в себя:

MIT, Caltech, Стэнфордский университет;

Оксфордский университет, Манчестерский университет;

Сеульский национальный университет, корейский научно-технический университет (KAIST) и Университет Sungkyunkwan;

Токийский Технологический центр, Мурата производственная компания, лтд.

Tsinghua, Пекинский университет, Institute of Semiconductors, китайская Academy of Sciences

И другие научно-исследовательские организации мирового уровня.