| По ограничению на использование опасных материалов в производстве: | Детали |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Vds-сливное напряжение источника: | 65 V |
| Технология: | Си |
| Коэффициент усиления: | 18,3 дБ при 2,17 ГГц |
| Выход Мощность: | 24 Вт |
| Максимальное рабочее Температура: | + 150 C |
| Монтажный Стиль: | SMD/SMT |
| Посылка/Чехол: | NI-780S |
| Упаковка: | Катушка |
| Бренд: |
| Конфигурация: | Одиночный |
| Рабочая частота: | От 2,11 до 2,17 ГГц |
| Серия: | MRF8S21100H |
| Фабрика пакет Количество: | 250 |
| Vgs-напряжение источника: | 10 V |
| Пороговое напряжение Vgs th-Gate-Source: | 2В |
| Блок Вес: | 0,168010 oz
|
![[VK] MRF8S21100HSR3 MOSFET RF N-CH 28 V 700MA NI780S разъемы](https://ae01.alicdn.com/kf/HTB1h0tUNpXXXXXcXpXXq6xXFXXXh.jpg)
![[VK] MRF8S21100HSR3 MOSFET RF N-CH 28 V 700MA NI780S разъемы](https://ae01.alicdn.com/kf/HTB1Dy8PNpXXXXb1XpXXq6xXFXXXE.jpg)
![[VK] MRF8S21100HSR3 MOSFET RF N-CH 28 V 700MA NI780S разъемы](https://ae01.alicdn.com/kf/HTB1n4mbPFXXXXasXFXXq6xXFXXXX.jpg)
